一种双非对称波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-23 发布于四川
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一种双非对称波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法.pdf

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本发明涉及一种双非对称波导层的小功率AlGaInP红光半导体激光器及其制备方法，包括由下至上依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层、下过渡层、下限制层、渐变下波导层、第一量子阱、垒层、第二量子阱、渐变上波导层、第一上限制层腐蚀终止层、第二上限制层、上过渡层和GaAs帽层，下波导层为渐变下波导层，上波导层为渐变上波导层，二分之一掺杂。本发明通过上波导层、下波导层厚度及组分的双非对称设计，降低器件电阻，驱使光场向下波导偏移，减小光场和上限制层的重合带来的载流子吸收带来的内损耗，斜率效率提高至0.9W

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113991427 A (43)申请公布日 2022.01.28 (21)申请号 202010730261.4 (22)申请日 2020.07.27 (71)申请人山东华光光电子股份有限公司