三极管课件完整版.pptVIP

半导体三极管三极管是组成各种电子电路的核心器件。通过一定的制造工艺，将两个PN结结合在一起，使三极管具有放大作用。三极管的产生使PN结的应用发生了质的飞跃。三极管是应用最广泛的半导体器件，在电子电路中实现放大、振荡、开关控制等功能。 　三极管结构示意图　　NPN 型ecb图形符号集电区集电结基区发射结发射区集电极 c基极 b发射极 eNNP三极管结构及符号三极管分有NPN型和PNP型，虽然它们外形各异，品种繁多，但它们的共同特征相同：都有三个分区、两个PN结和三个向外引出的电极。三极管的文字符号是VT 集电区集电结基区发射结发射区集电极 c发射极 e基极 b　　cbe图形符号NNPPN　三极管结构示意图和符号　　PNP 型 晶体管芯结构剖面图e发射极集电区N基区P发射区Nb基极c集电极晶体管实现电流放大作用的内部结构条件(1)发射区掺杂浓度很高，以便有足够的载流子供“发射”。(2)为减少载流子在基区的复合机会，基区做得很薄，一般为几个微米，且掺杂浓度极低。(3)集电区体积较大，且为了顺利收集边缘载流子，掺杂浓度界于发射极和基极之间。 可见，三极管并非是两个PN 结的简单组合，而是利用一定的掺杂工艺制作而成。因此，绝不能用两个二极管来代替，使用时也决不允许把发射极和集电极接反。 晶体管实现电流放大作用的外部条件NNPUBBRB＋－(1)发射结必须“正向偏置”，以利于发射区电子的扩散，扩散电流即发射极电流ie，扩散电子的少数与基区空穴复合，形成基极电流ib，多数继续向集电结边缘扩散。UCCRC＋－(2)集电结必须“反向偏置”，以利于收集扩散到集电结边缘的多数扩散电子，收集到集电区的电子形成集电极电流ic。IEICIB 整个过程中，发射区向基区发射的电子数等于基区复合掉的电子与集电区收集的电子数之和，即： IE=IB+IC 三极管的电流放大作用 三极管放大的条件 三极管实现电流放大的外部偏置条件：发射结正偏，集电结反偏。正向偏压一般硅管为0.6-0.8V，锗管为0.1-0.3V；反向电压为几伏至十几伏。 各电极电位之间的关系是： NPN型 VC＞VB＞VE PNP型 VC＜VB＜VE 电流分配关系 NPN管放大实验电路（共发射极） 电路中的三极管的偏置满足发射结正偏，集电结反偏。 发射结正偏，可使发射区的多子（自由电子）通过PN结注入到基区，以形成基极电流IB； 集电结反偏，使集电极电位高于基极电位，于是在集电结上有一个较强的电场，把由发射区注入到基区的自由电子大部分拉到集电区，形成集电极电流IC。 调节Rb，改变IB的大小，得出相应的IC和IE的数据，如表所示。 电流放大实验数据 IB(mA) -0.004 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05 IC(mA) 0.004 0.01 1.09 2.08 3.07 4.06 5.05 IE(mA) 0 0.01 1.10 2.10 3.10 4.10 5.10由表可得：三极管各电极电流分配关系是： IE = IB + IC由于基极电流很小，因而IE≈IC。 通常称 为共射极直流电流放大系数，因而有： 通常 称为共射极交流电流放大系数。 由表2.1还可知：β ≈电流放大系数 放大作用的实质 由上述实验结果可知，当IB有一微小变化时，能引起IC较大的变化，这种现象称为三极管的电流放大作用。 电流放大作用的实质是通过改变基极电流IB的大小，达到控制IC的目的，而并不是真正把微小电流放大了，因此称三极管为电流控制型器件。 例1 测得工作在放大状态的三极管两个电极的电流如图2.4所示。 （1）求另一个电极的电流，并在图中标出实际方向。 （2）标出e、b、c极，并判断出该管是NPN型还是PNP型管。 （3）估算其β值。 解： （1）图2.4(a)中①、②管脚的电流均为流入，则③管脚的电流必为流出，且大小为0