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一种用于模场转换耦合结构的制备方法及其制备结构.pdfVIP

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  • 2023-04-23 发布于北京
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一种用于模场转换耦合结构的制备方法及其制备结构.pdf

    本发明公开了一种用于光子芯片模场转换的多层耦合结构，耦合结构中的下层为锥形结构，上层为尺寸较大的光波导结构，在下层锥形结构中传输的光束逐渐转移至上层光波导结构中进行传输，实现了光子芯片与光纤之间的光束高效率传输，具有耦合损耗低、易于制备的优点。本发明还公开了基于化学机械抛光方法的结构制备方法，具有成本低廉、加工效率高、工艺简单以及成品率高等诸多优点。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113970808 A (43)申请公布日 2022.01.25 (21)申请号 202111371183.4 (22)申请日 2021.11.18 (71)申请人 嘉兴

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