半导体器件物理 chapter4 集成电路制造工艺课件.pptVIP

第四章集成电路制造工艺;;芯片制造过程;图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到衬底上。 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等。 制膜：制作各种材料的薄膜。 ;硅片准备;光刻 （Lithography）;光刻工艺流程;光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 –光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、 基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体。 –光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变。 正胶（曝光后可溶）：分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶。 负胶（曝光后不可溶） ：分辨率差，适于加工线宽≥3?m的线条。 ;插图fig.4.6;亮场版和暗场版;曝光的几种方法;图4.7;图形转移：刻蚀技术;干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。 溅射与离子束铣蚀：通过高能惰性气体离子的物理轰击作用刻蚀，各向异性性好，但选择性较差。 等离子刻蚀(Plasma Etching)：利用放电产生的游离基与材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻蚀。选择性好、对衬底损伤较小，但各向异性较差。 反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching，简称为RIE)：过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用刻蚀。具有溅射刻蚀和等离子刻蚀两者的优点，同时兼有各向异性和选择性好的优点。目前，RIE已成为VLSI工艺中应用最广泛的主流刻蚀技术。 ;掺杂工艺（Doping）;扩散;插fig. 13, fig.14, fig2.8扩散方法。;离子注入：将具有很高能量的杂质离子射入半导体衬底中的掺杂技术，掺杂深度由注入杂质离子的能量和质量决定，掺杂浓度由注入杂质离子的数目(剂量)决定。 离子注入的深度由注入离子的能量和离子的质量决定，可以得到精确结深，尤其是浅结。 低温（?600 oC）、掺杂均匀性好、离子注入剂量可精确控制，重复性好、横向扩散比纵向扩散小得多。 可以注入各种各样的元素并可以对化合物半导体进行掺杂?? 多数注入离子停留在与硅晶格位置不一致的位置上，不具有电活性，需要退火处理，激发电活性。 ;退火（Annealing）;氧化（Oxidation）;氧化硅层的主要作用;化学汽相淀积(CVD);常压化学汽相淀积(APCVD) 低压化学汽相淀积(LPCVD) 等离子增强化学汽相淀积(PECVD) ;物理气相淀积(PVD);溅射（Sputtering）：真空系统中充入惰性气体，在高压电场作用下，气体放电形成的离子被强电场加速，轰击靶材料，使靶原子逸出并被溅射到晶片上。 ;图形转移： –光刻：接触光刻、接近光刻、投影光刻、电子束光刻 –刻蚀：干法刻蚀、湿法刻蚀 掺杂： –离子注入 退火 –扩散 制膜： –氧化：干氧氧化、湿氧氧化等 –CVD：APCVD、LPCVD、PECVD –PVD：蒸发、溅射;工艺集成：NMOS晶体管热扩散法制备工艺流程;集成电路制造工艺可分为光刻、掺杂、氧化、淀积四大类，每一类各包括什么工艺技术？ 光刻的工艺步骤是什么？第四章集成电路制造工艺;;芯片制造过程;图形转换：将设计在掩膜版(类似于照相底片)上的图形转移到衬底上。 掺杂：根据设计的需要，将各种杂质掺杂在需要的位置上，形成晶体管、接触等。 制膜：制作各种材料的薄膜。 ;硅片准备;光刻 （Lithography）;光刻工艺流程;光刻三要素：光刻胶、掩膜版和光刻机 –光刻胶又叫光致抗蚀剂，它是由光敏化合物、 基体树脂和有机溶剂等混合而成的胶状液体。 –光刻胶受到特定波长光线的作用后，导致其化学结构发生变化，使光刻胶在某种特定溶液中的溶解特性改变。 正胶（曝光后可溶）：分辨率高，在超大规模集成电路工艺中，一般只采用正胶。 负胶（曝光后不可溶） ：分辨率差，适于加工线宽≥3?m的线条。 ;插图fig.4.6;亮场版和暗场版;曝光的几种方法;图4.7;图形转移：刻蚀技术;干法刻蚀：主要指利用低压放电产生的等离子体中的离子或游离基(处于激发态的分子、原子及各种原子基团等)与材料发生化学反应或通过轰击等物理作用而达到刻蚀的目的。 溅射与离子束铣蚀：通过高能惰性气体离子的物理轰击作用刻蚀，各向异性性好，但选择性较差。 等离子刻蚀(Plasma Etching)：利用放电产生的游离基与材料发生化学反应，形成挥发物，实现刻蚀。选择性好、对衬底损伤较小，但各向异性较差。 反应离子刻蚀(Reactive Ion Etching，简称为RIE)：过活性离子对衬底的物理轰击和化学反应双重作用刻