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一种LED及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-04-24 发布于北京
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一种LED及其制备方法.pdf

    本发明揭示了一种LED及其制备方法。一种LED包括衬底、高温成核层及NGaN层。高温成核层及NGaN层在衬底上依次生长。本发明LED的底层结构在高温成核层上直接生长NGaN层，膜层质量明显变好，并由于增加了底层的掺杂，降低了电压，可大幅增加发光效率。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114023853 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111305222.0 (22)申请日 2021.11.05 (71)申请人 聚灿

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