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- 2023-04-24 发布于四川
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本发明公开一种量子点超晶格光电探测器。该光电探测器自下而上依次包括:衬底;光敏层,其包括设置在所述衬底上的两层二维材料及其上方的量子点超晶格;金属电极层,包括源电极和漏电极,所述源电极和所述漏电极形成沟道。所述二维材料与所述量子点超晶格材料形成异质结,所述源电极和所述漏电极被配置为使电流能够通过所述光敏层,所述量子点超晶格被配置为在暴露于入射电磁辐射时产生电子‑空穴对以产生可检测的变化电流。本发明可以提高器件的电学性能,增强电荷转移,响应速度更快。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114023835 A
(43)申请公布日 2022.02.08
(21)申请号 202111182664.0
(22)申请日 2021.10.11
(71)申请人 华南师范大学
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