一种异质外延单晶金刚石复制生长方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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一种异质外延单晶金刚石复制生长方法.pdf

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本发明公开了一种异质外延单晶金刚石复制生长方法，在第一异质外延衬底上制备晶向为(001)的第一Ir膜层；在第一Ir膜层的第一表面制备出(001)方向的第一外延金刚石核；使第一外延金刚石核外延生长，在第一Ir膜层的第一表面上形成(001)方向的第一单晶金刚石，得到第二外延衬底；清洗第二外延衬底，得到Ir/Dianomd衬底；在第一Ir膜层的第二表面上制备第二外延金刚石核；使第二外延金刚石核在MP‑CVD中生长，得到第二单晶金刚石；本发明中衬底以及生长层均为单晶金刚石，具有相同的热膨胀系数，利用异质

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114016128 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111228647.6 C23C 16/02 (2006.01)