一种鳍式场效应晶体管及其制作方法.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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一种鳍式场效应晶体管及其制作方法.pdf

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本发明提供了一种鳍式场效应晶体管及其制作方法，方法包括：提供基底结构，基底结构包括半导体衬底、位于半导体衬底一侧的至少一个鳍部及位于鳍部背离半导体衬底一侧表面的掩膜层；沿基底结构具有鳍部侧的裸露表面形成氧隔离膜；形成介质层覆盖氧隔离膜；对介质层背离半导体衬底一侧表面进行平坦化处理直至裸露掩膜层；刻蚀去除掩膜层及介质层和氧隔离膜对应去除区的部分；在介质层背离半导体衬底一侧形成跨越鳍部的栅极结构。本发明通过氧隔离膜来隔绝氧元素进入鳍部，进而改善鳍部的侧壁被氧化而降低其平整度的情况，保证制备的鳍部的侧

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114005755 A (43)申请公布日 2022.02.01 (21)申请号 202010738403.1 (22)申请日 2020.07.28 (71)申请人泉芯集成电路制造（济南）有限公司