半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备.pdfVIP

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2023-04-24 发布于北京
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半导体器件及其制备方法、存储器、存储系统、电子设备.pdf

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本公开提供了一种半导体器件及其制备方法、三维存储器，涉及半导体芯片技术领域，用于实现对半导体器件所在晶圆的翘曲程度的控制。所述半导体器件的制备方法包括：提供三维阵列结构；所述三维阵列结构包括衬底，设置在所述衬底一侧的牺牲层，及设置在所述牺牲层远离所述衬底的一侧的叠层结构；形成贯穿所述叠层结构并延伸至所述牺牲层的栅线缝隙；形成掺杂多晶硅薄膜，并对所述掺杂多晶硅薄膜进行退火处理；所述掺杂多晶硅薄膜至少覆盖所述栅线缝隙的内壁；形成多晶硅薄膜，并对所述多晶硅薄膜进行退火处理；所述多晶硅薄膜覆盖所述掺杂多

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114023758 A (43)申请公布日 2022.02.08 (21)申请号 202111199258.5 (22)申请日 2021.10.14 (71)申请人长江