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本申请公开了一种半导体器件，包括VCSEL芯片和与VCSEL芯片的P面电极连接的VCSOA阵列芯片；VCSEL芯片中P面电极处的出光口与VCSOA阵列芯片中N面电极的进光口对准；VCSEL芯片包括用于产生种子激光的单独的谐振腔；VCSOA阵列芯片包括衬底和位于衬底上方的谐振腔阵列，且衬底的上表面分布有预设图案；预设图案用于使种子激光在衬底的上表面和下表面之间往复发生漫反射或散射，以使种子激光覆盖整个衬底；谐振腔阵列用于对进入谐振腔阵列的激光进行功率放大，且放大后激光与种子激光的光谱带宽相同。本申
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114024211 A
(43)申请公布日 2022.02.08
(21)申请号 202111517540.3
(22)申请日 2021.12.13
(71)申请人 长春中科长光时空光电技术有限公
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