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半导体装置及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-04-24 发布于北京
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半导体装置及其制造方法.pdf

    本发明提供一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括半导体衬底、字线与位线。半导体衬底具有彼此分离且沿第一方向延伸的有源区。字线形成于半导体衬底中。有源区分别地与一个或多个字线相交。字线分别地具有宽部与沿第二方向连续性延伸于宽部上的窄部。宽部位于字线与有源区相交处。位线形成于半导体衬底之上，且沿与第一方向以及第二方向相交的第三方向延伸。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114005828 A (43)申请公布日 2022.02.01 (21)申请号 202110536763.8 (22)申请日 2021.05.17 (30)优先权数据 16/940,41

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