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- 2023-04-24 发布于北京
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本申请题为“具有多电极控制的高压器件”。在所描述的示例中,高压晶体管(HVT)结构(140)使低压晶体管(LVT)(110)适于高压环境。HVT结构(140)包括漏极节点(152)、源极节点(154)、控制栅极(156)和场电极(162、164)。漏极节点(152)和源极节点(154)限定导电沟道(163、165),其中通过控制栅极(156)调节迁移的电荷。当与控制栅极(156)隔离时,场电极(162、164)被配置为响应于场电压,传播迁移的电荷。场电极(162、164)被构造和布线以防止与漏极
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114023741 A
(43)申请公布日 2022.02.08
(21)申请号 202111298536.2
(22)申请日 2016.06.22
(30)优先权数据
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