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具有多沟道有源区的半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于四川
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具有多沟道有源区的半导体器件.pdf

    一种多沟道绝缘体上半导体(SOI)晶体管包括：衬底，所述衬底上具有电绝缘层和位于所述电绝缘层上的半导体有源层。还设置了掩埋在所述半导体有源层内的间隔开的绝缘栅电极的竖直堆叠。该竖直堆叠包括邻近所述电绝缘层延伸的第一绝缘栅电极和与所述半导体有源层的表面间隔开的第(N‑1)绝缘栅电极，其中，N是大于2的正整数。第N绝缘栅电极设置在所述半导体有源层的所述表面上。成对的源极/漏极区域设置在所述半导体有源层内。这些源极/漏极区域邻近所述间隔开的绝缘栅电极的竖直堆叠的相对两侧延伸。在这些方面中的一些方面，所

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068532 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202110455007.2 (22)申请日 2021.04.26 (30)优先权数据 10-2020-0

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