一种高增益平面型雪崩单光子探测器及其制备方法.pdfVIP

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2023-04-25 发布于北京
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一种高增益平面型雪崩单光子探测器及其制备方法.pdf

本发明公开了一种高增益平面型雪崩单光子探测器及其制备方法，包括衬底、缓冲层、P型层、I型层、N型层、阴极引出端和阳极引出端。缓冲层和P型层依次生长在衬底上、N型层和I型层形成在P型层中；光子从P型衬底入射，P型衬底上的阴极引出端接电源的负极，I层作为载流子的雪崩倍增区域和光子的吸收区，N型层上的阳极引出端接电源的正极。本发明结构简单，易于制备，可同时在高偏压下实现低暗电流和高增益。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114038926 A (43)申请公布日 2022.02.11 (21)申请号 202111324616.0 (22)申请日 2021.11.10 (71)申请人中国科学院上海技术物理研究所

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