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- 2023-04-25 发布于四川
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本公开大体上涉及半导体器件中的结构及其形成方法。更具体地，本公开涉及具有围绕栅极对称地布置的场板的半导体器件。本公开提供了一种半导体器件，其包括：位于衬底上方的有源区域；与有源区域接触的源电极和漏电极；位于有源区域上方并且横向地位于源电极与漏电极之间的栅极；位于源电极与栅极之间的第一场板；位于漏电极与栅极之间的第二场板，其中，栅极与第一场板和第二场板横向地并且基本上等距地间隔开。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114068682 A
(43)申请公布日 2022.02.18
(21)申请号 202110736273.2 H01L 29/778 (2006.01)
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