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- 2023-04-25 发布于北京
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一种快速恢复二极管，包括：第一导电类型半导体层；位于所述第一导电类型半导体层上的漂移层；位于所述漂移层中的第二导电类型掺杂层；所述快速恢复二极管还包括：第一复合区，所述第一复合区位于第二导电类型掺杂层底部的漂移层中，第一复合区包括若干个横向排布的第一子复合区，相邻的第一子复合区在漂移层中的深度不同；和/或，第二复合区，第二复合区位于所述第二导电类型掺杂层中，第二复合区包括若干个横向排布的第二子复合区，相邻的第二子复合区在第二导电类型掺杂层中的深度不同。本发明提供的一种快速恢复二极管反向恢复峰值电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114068728 A
(43)申请公布日 2022.02.18
(21)申请号 202111547921.6 H01L 21/329 (2006.01)
(22)申请日
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