第五章 污染控制.pptxVIP

第五章 污染控制5.1 概述 在这一章中，将解释污染对器件工艺、器件性能和器件可靠性的影响，以及芯片生产区域存在的污染类型和主要的污染源。同时也简要介绍洁净室规划、主要的污染控制方法和晶片外表的清洗工艺等。5.2 污染类型 微粒 金属离子 化学物质 细菌 微粒 器件对污染物的敏感度取决于特征图形的尺寸和晶体外表沉积层的厚度。由于特征图形尺寸越来越小，膜层厚度越来越薄，所允许存在的微粒 尺寸也必须控制在更小的尺度上。 经验告诉我们，微粒的大小要小于器件上最小特征图形尺寸的1/10。〔就是说直径为0.03微米的微粒将会损坏0.3微米线宽大小的特征图形。〕否那么会造成器件功能的致命伤害。金属离子 无论是单晶制造还是工艺过程中人为掺杂，在引入有用杂质的同时也不可防止地引入一些其他有害的杂质，特别是金属杂质。并且是以离子形式出现的而且是移动的。当这些移动的离子超过一定数量时，同样会引起器件的失效。因此，这些可移动的离子必须控制在一定范围内。 除此之外，钠也是最常见的可移动离子污染物，而且移动性最强，因此，对钠的控制也成为芯片生产的首要目标。 可移动污染物问题特别是对MOS器件影响更为明显，因为MOS器件是外表电荷控制器件。化学品 器件生产过程中化学品的应用是不可防止的，有些化学品将导致晶片外表受到不必要的刻蚀，或者生成无法除去的化合物等，氯就是其中之一的污染物，所