竖直三维(3d)存储器的三节点存取装置.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于四川
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竖直三维(3d)存储器的三节点存取装置.pdf

本公开涉及一种用于形成竖直堆叠式存储器单元的阵列的方法,阵列具有水平取向的存取装置和竖直取向的存取线,其包括:在重复迭代中沉积电介质材料和牺牲材料的交替层以形成竖直堆叠,其中牺牲材料的第一部分位于竖直堆叠的、在其中形成通过沟道区域横向分隔开的第一和第二源/漏区域的第一区域中;使用蚀刻剂工艺形成第一竖直开口,暴露出竖直堆叠中与牺牲材料的第一部分相邻的竖直侧壁;选择性地蚀刻牺牲材料的第一部分以形成第一水平开口,从而去除第一区域中从第一竖直开口向后第一水平距离的牺牲材料;以及在第一水平开口中沉积第一和

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068424 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202110654935.1 (22)申请日 2021.06.11 (30)优先权数据

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