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- 2023-04-25 发布于四川
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本公开涉及半导体器件的接触件及其形成方法。公开了用于在低压器件和高压器件中形成到源极/漏极区域和栅极电极的接触件的方法以及由该方法形成的器件。在实施例中，一种器件包括：第一沟道区域，在衬底中与第一源极/漏极区域相邻；第一栅极，在第一沟道区域之上；第二沟道区域，在衬底中与第二源极/漏极区域相邻，第二沟道区域的顶表面低于第一沟道区域的顶表面；第二栅极，在第二沟道区域之上；ILD，在第一栅极和第二栅极之上；第一接触件，其延伸穿过ILD并且耦合到第一源极/漏极区域；以及第二接触件，其延伸穿过ILD、耦合
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114068528 A
(43)申请公布日 2022.02.18
(21)申请号 202110377051.6
(22)申请日 2021.04.08
(30)优先权数据
63/090,79
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