1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

脊型波导高功率半导体激光器芯片及其制备方法.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.34万字
  • 约 12页
  • 2023-04-25 发布于北京
  • 举报

脊型波导高功率半导体激光器芯片及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种脊型波导高功率半导体激光器芯片，包括由下向上依次排列的一N型衬底、一N型半导体层、一有源发光层、一P型半导体层、一刻蚀阻挡层、一脊型波导层；所述有源发光层至少包括两组量子阱；所述两组量子阱包括靠近所述刻蚀阻挡层的第一组量子阱和远离所述刻蚀阻挡层的第二组量子阱；所述第一组量子阱的能带带隙小于第二组量子阱的能带带隙。本发明通过在传统的单一量子阱结构中加入一个具有不同能带带隙的另外一组量子阱，从而降低高功率半导体激光器的阈值电流，提升高功率半导体激光器的发光效率。本发明还公开了一种脊型

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114039275 A (43)申请公布日 2022.02.11 (21)申请号 202111352160.9 (22)申请日 2021.11.16 (71)申请人 欧润光电科技（苏州）有限公司

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >