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本发明涉及一种基于聚焦离子束辐照结合湿法转移制备二维半导体器件的方法，该方法将单层TMDCs与石墨烯堆叠在一起构成异质节，TMDCs在石墨烯上方，最下方的衬底为铜箔，使用聚焦离子束轰击部分TMDCs薄膜，造成TMDs顶层部分原子缺失制造缺陷结构，并降低TMDCs的表面势，得到TMDCs/石墨烯异质结，将TMDCs/石墨烯异质结湿法转移至镀好电极的绝缘硅片衬底上。利用TMDCs与石墨烯间的纵向电子传输，影响石墨烯的电子结构，调控石墨烯N态及P态电子性质，石墨烯呈现P态，无缺陷的TMDCs使石墨烯呈
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114050200 A
(43)申请公布日 2022.02.15
(21)申请号 202110789876.9
(22)申请日 2021.07.13
(71)申请人 山东大学
地址 25
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