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半导体存储装置及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于四川
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半导体存储装置及其制造方法.pdf

    实施方式提供一种性能提高的半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置(10)的制造方法包括以下步骤：以覆盖半导体层(30)的方式形成被覆层(70)；形成贯通被覆层(70)并到达半导体层(30)中间的凹部(71)；通过扩大凹部(71)中形成于半导体层(30)的部分，而使被覆层(70)中与半导体层(30)相接的部分的一部分露出；以及对在凹部(71)内侧露出的被覆层(70)的表面实施蚀刻。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068570 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202110164072.X H01L 23/48 (2006.01)

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