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- 2023-04-25 发布于四川
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根据一个实施例,一种半导体存储装置包含:堆叠体,其中多个导电层彼此分离并堆叠;柱,其在堆叠方向上延伸并且包括将在与所述多个导电层中的至少一些的相交点处形成的存储器单元;上绝缘层,其布置在所述堆叠体上;插塞,其在所述上绝缘层内部在所述堆叠方向上延伸并且连接到所述柱的上端部分;及间隔绝缘层,其环绕所述插塞,并且具有比所述上绝缘层的介电常数更低的介电常数。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114068486 A
(43)申请公布日 2022.02.18
(21)申请号 202110370855.3 H01L 27/11578 (2017.01)
(22)申请日
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