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- 2023-04-25 发布于北京
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本申请案涉及用于确定存储器单元读取偏移的技术，其经描述以支持使用读取电压电平与电压偏移之间的关系来确定针对一或多个存储器单元电平的电压偏移及对应读取电压电平。存储器装置可使用第一程序估计第一电压偏移，并且可使用所述第一电压偏移执行读取操作。如果第一电压偏移导致针对对应存储器单元电平的读取错误，那么所述存储器装置可使用所述关系来确定经更新电压偏移。所述关系可预测针对给定读取电压电平的电压偏移，使得所述存储器装置可使用所述关系以预测针对存储器单元电平的经更新电压偏移。所述存储器装置可使用所述经更新电
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114067895 A
(43)申请公布日 2022.02.18
(21)申请号 202110855935.8
(22)申请日 2021.07.28
(30)优先权数据
16/941,89
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