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半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于四川
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半导体器件的制造方法、衬底处理装置及程序.pdf

    本发明具有通过将包括下述(a)～(c)的循环进行规定次数从而在衬底上形成含有规定元素及氮的膜的成膜工序：(a)向处理室内的被加热至第1温度的衬底供给含有规定元素及卤素的原料气体而形成第1层的工序；(b)向处理室内的衬底供给含有氢且不含有氮的经等离子体激发的第1改性气体，使第1层改性而形成第2层的工序；和(c)向处理室内的衬底供给含有氮及氢的经等离子体激发的第2改性气体，使第2层改性而形成第3层的工序，其中，将(b)中的第1改性气体的供给时间TH设为比(c)中的第2改性气体的供给时间TN长。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114072540 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202080047973.4 (74)专利代理机构 北京市金杜律师事务所

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