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- 2023-04-25 发布于北京
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本发明涉及一种光电探测器芯片的刻蚀去胶方法，包括以下步骤：通过匀胶的方式在wafer的表面形成图形，然后通过曝光、显影的方式获得所需图形；采用CF4和O2的混合气体通过等离子体刻蚀机进行刻蚀最后采用流量2‑10sccm的O2刻蚀时间30秒至1分钟；放入去离子水中冲水，吹干之后采用稀释后的BOE进行浸泡一定时间；最后采用去胶液进行清洗，获得干净的刻蚀表面。本发明的有益之处在于，刻蚀过程中形成副产物可以被有效的去除，不会残留在磷化铟基的刻蚀的表面，导致器件报废。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114038942 A
(43)申请公布日 2022.02.11
(21)申请号 202111314956.5
(22)申请日 2021.11.08
(71)申请人 浙江
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