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- 2023-04-25 发布于北京
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本发明提供了一种存储单元、存储单元的制作方法以及存储器。所述存储单元包括：衬底，所述衬底的一侧表面内具有阱区；位于所述表面上的隧穿氧化层；位于所述隧穿氧化层背离所述阱区一侧表面的第一电荷存储层；位于所述第一电荷存储层背离所述隧穿氧化层一侧表面的第二电荷存储层；位于所述第二电荷存储层背离所述第一电荷存储层一侧表面的调度氧化层；其中，所述第二电荷存储层的电荷保持能力大于所述第一电荷存储层。应用本发明技术方案，提高了器件的存储性能以及可靠性。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114038918 A
(43)申请公布日 2022.02.11
(21)申请号 202111315396.5
(22)申请日 2021.11.08
(71)申请人 珠海创飞芯科技有限公司
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