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半导体装置及该半导体装置的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于四川
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半导体装置及该半导体装置的制造方法.pdf

    本公开提供一种半导体装置及该半导体装置的制造方法。本技术提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：层叠体，其包括彼此交替层叠的绝缘图案和导电图案；沟道层，其包括从层叠体突出的第一沟道部分和在层叠体中的第二沟道部分，并且穿过层叠体；以及导电线路，其围绕第一沟道部分，并且第一沟道部分包括金属硅化物。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068571 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202110527539.2 H01L 27/11556 (2017.01)

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