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半导体存储装置及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-04-25 发布于四川
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半导体存储装置及其制造方法.pdf

    实施方式提供一种能够降低制造时的负载效应的影响的半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置(10)的制造方法包括如下步骤：通过将绝缘层(30)与牺牲层(60)交替地积层而形成被加工部(70)；在被加工部(70)的表面(S11)上形成蚀刻掩模(300)；在作为蚀刻掩模(300)的一部分的第1区域，形成从蚀刻掩模(300)的表面(S20)到达被加工部(70)的表面(S11)的多个贯通孔(310)，且在蚀刻掩模(300)中与第1区域邻接的第2区域，形成使蚀刻掩模(300)的表面(S20)的一

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114068561 A (43)申请公布日 2022.02.18 (21)申请号 202110155967.7 H01L 27/1157 (2017.01)

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