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氧化镓单晶制备中抑制原料分解和铱金坩埚氧化的方法.pdfVIP

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  • 2023-04-26 发布于四川
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氧化镓单晶制备中抑制原料分解和铱金坩埚氧化的方法.pdf

    一种氧化镓单晶制备中抑制原料分解和铱金坩埚氧化的方法。所述方法包括：在控制温度条件下生长氧化镓晶体，且将氧化镓的生长温度划分成至少两个的温度区间，对每一个温度区间设置不同的生长气氛。本发明的方法将氧化镓单晶制备过程中的温度细分为多个区间，通过不同温区气氛比例的精确控制，达到抑制原料分解挥发和铱金坩埚氧化挥发的目的，从而降低设备损耗，提高单晶质量，降低生产成本。本发明操作简单有效，成本低廉，有利于氧化镓单晶的工业化生产和科研探索。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114086249 A (43)申请公布日 2022.02.25 (21)申请号 202111460474.0 (22)申请日 2021.12.02 (71)申请人 北京镓和半导体有限公司

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