横向扩散的MOSFET及其制造方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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横向扩散的MOSFET及其制造方法.pdf

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本公开涉及横向扩散的MOSFET及其制造方法。一种半导体器件包括具有第一导电类型的第一半导体区域和具有第二导电类型的第二半导体区域、第二半导体区域中的源极区域和体接触区域。该半导体器件还包括在第二半导体区域中，横向位于源极区域和第一半导体区域之间的沟道区域、覆盖于沟道区域和第一半导体区域的一部分两者之上的栅极电介质层以及覆盖于栅极电介质层之上的栅极电极。半导体器件还包括覆盖体接触区域的上表面和源极区域的侧表面的共形导电层。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078969 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202011083543.6 (22)申请日 2020.10.12 (71)申请人台湾积体电路制造股份有限公司