半导体结构及其形成方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约2.33万字
约 23页
2023-04-26 发布于北京
举报
版权申诉

半导体结构及其形成方法.pdf

1、本文档共23页，其中可免费阅读22页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：基底、栅极结构和位于栅极结构的侧壁的侧墙，侧墙的顶部高于栅极结构的顶部；源漏，位于栅极结构两侧的所述基底内，源漏的顶部高于或齐平于基底顶部；导电层，位于源漏上；保护层，位于栅极结构的顶部且位于侧墙之间，保护层的顶部表面高于侧墙的顶部表面；覆盖层，位于导电层以及侧墙的顶部，覆盖层的顶部与保护层的顶部齐平；介质层，位于保护层和覆盖层上；第一互连层，位于栅极结构顶部的保护层内；第二互连层，位于导电层顶部的覆盖层内。本发明实施例提供的半导体结构，避免了第一

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078744 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202010809296.7 (22)申请日 2020.08.12 (71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限