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本发明提供一种制备高化学计量比二维六方氮化硼的方法,包括:S1,将淀积腔室抽至一本底真空度,其中,淀积腔室内放置有衬底及六方氮化硼靶材;S2,将衬底加热至目标温度后,在氮气气氛下对衬底进行退火;S3,在氮气气氛下,将脉冲激光照射到六方氮化硼靶材上,六方氮化硼靶材表面分子熔蒸后淀积在高温衬底上;S4,降温得到高化学计量数比的二维六方氮化硼。本发明提供的方法不需要提供大量的含氮有毒前驱体以保证产物的化学计量比,生长过程清洁环保,且得到的样品生长厚度精确可控,可实现二维h‑BN的高质量大面积生长。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114075695 A
(43)申请公布日 2022.02.22
(21)申请号 202010809791.8
(22)申请日 2020.08.12
(71)申请人 中国科学院半导体研究所
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