超快闪存储器浮栅TiN薄膜制作方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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超快闪存储器浮栅TiN薄膜制作方法.pdf

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本发明公开了一种超快闪存储器浮栅TiN薄膜制作方法，包括：按现有技术完成前序工序，直至完成沟槽刻蚀；转至HKFOUP，沉积TiN；沉积氧化层，包裹TiN；晶背清洗转至HLFOUP；光刻定义保护区和非保护区，形成保护层保护保护区，露出非保护区；转至HKFOUP，刻蚀去除非保护区的氧化层，露出非保护区的TiN；去除保护区的保护层；刻蚀去除非保护区的TiN；沉积氧化层，包裹保护区的TiN；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的氧化层，形成氧化层侧壁；刻蚀去除保护区顶部和沟槽底部的TiN以及氧化层侧壁，保

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114121633 A (43)申请公布日 2022.03.01 (21)申请号 202111399283.8 (22)申请日 2021.11.24 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司