脉冲波形的变换与产生.pptVIP

2. TTL集成施密特触发器74LS14 二．集成施密特触发器 1. CMOS集成施密特触发器CC40106 8.3 施密特触发器 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 1A 1Y 2A 2Y 3A 3Y 4A 4Y 5A 5Y 6A 6Y V V DD SS (a) CC40106 1 2 3 4 5 6 7 1A 1Y 2A 2Y 3A 3Y GND 8 9 10 11 12 13 14 4A 4Y 5A 5Y 6A 6Y V CC (b) 74LS14 第三十一页，共五十八页，2022年，8月28日 2. 用作整形电路——把不规则的输入信号整形成为矩形脉冲。 三．施密特触发器的应用举例 1. 用作接口电路——将缓慢变化的输入信号，转换成为符合TTL系统要求的脉冲波形。 8.3 施密特触发器 MOS CMOS 正弦波振荡器 输出 输入 VT+ VT- 第三十二页，共五十八页，2022年，8月28日 3. 用于脉冲鉴幅——从一系列幅度不同的脉冲信号中，选出那些幅度大于VT+的输入脉冲。 三．施密特触发器的应用举例 8.3 施密特触发器 vO vI 逻辑符号（反相输出） VT+ VT- 0 0 t t vO vI 第三十三页，共五十八页，2022年，8月28日 【8.2.1】回差电压可调的施密特电路如图所示，它是利用射极跟随器的射极电阻来调节回差的。 （1）分析电路的工作原理； （2）当及Re1在50~100Ω的范围内变动时，试计算回差的变化范围。 Re1 Re2 100Ω 100Ω 3.3kΩ 2.2kΩ vI S 1 vO1 vO2 VCC R vA vB T 解：（1）当vI=0时，T截止，vA=vB=0，因此，vO1=1， vO2=0。 设与非门阈值电压Vth=1.4V。 当vI上升使T导通且vA=1.4V时，S=1，当vB未达到1.4V时，R=1，因此， vO1=1， vO2=0，不发生翻转。 直至vB达到1.4V，S=1，R=0，电路翻转， vO1=0， vO2=1。 设此时vI为正向阈值电压VT+ 当vI下降时，vB下降到1.4V以下时， S=R=1，vO1、vO2不变。 当vI继续下降，当vA低于1.4V时， S=0，R=1，状态翻转， 即vO1=1， vO2=0 。 设此时vI为负向阈值电压VT－ 第三十四页，共五十八页，2022年，8月28日 Re1 Re2 100Ω 100Ω 3.3kΩ 2.2kΩ vI S 1 vO1 vO2 VCC R vA vB T 解：（2）根据上面的分析，vB上升达到1.4V时的vI就是VT+，因此 当vA下降达到1.4V时的vI就是VT－ 因此 当Re1在50~100Ω范围内时， 第三十五页，共五十八页，2022年，8月28日 【8.2.2】集成施密特电路和集成单稳态触发器74121构成的电路如图所示。已知集成施密特电路的VDD＝10V，R＝100KΩ，C＝0.01uF，VT+＝6.3V，VT－＝2.7V，Cext＝0.01uF，Rext＝30KΩ。 （1）分别计算的周期及的脉宽。 （2）根据计算结果画出的波形。 A1 A2 74121 Cext Rext /Cext VCC Rext C Q vO1 B R vO2 VCC R1 S C 【分析】施密特触发器构成方波产生电路，调节R和C可以调节频率。通过调节单稳态触发器的外接Cext和Rext可以调节脉宽。 【解】集成施密特触发器构成多谐振荡器，当开关S接通高电平时，电路开始振荡，vO1的周期由电容C充电时间t1和电容C放电时间t2组成。 第三十六页，共五十八页，2022年，8月28日 A1 A2 74121 Cext Rext /Cext VCC Rext C Q vO1 B R vO2 VCC R1 S C 【解】集成施密特触发器构成多谐振荡器，当开关S接通高电平时，电路开始振荡，vO1的周期由电容C充电时间t1和电容C放电时间t2组成。 单稳态脉宽为： vC tw t t t vO1 vO2 T 第三十七页，共五十八页，2022年，8月28日 8.4 多谐振荡器 多谐振荡器——能产生矩形脉冲波的自激振荡器。 一．用555定时器构成的多谐振荡器 1. 电路组成及工作原理 2 6 V CC R D O 555 3 v I2 I1 v 8 4 v 7 R R V CC 1 2 C 1 5 0.01 u C 1 v C P T2 T1 T vO vC 2/3VCC 1/3VCC 0 0 t t0 t1 t2 t 第三十八页，共五十八页，2022年，8月28日 VCC + + C1 + + C2 Q Q RD SD . . . 5K 5K 5K VA VB