位线结构制造方法、半导体结构制造方法及半导体结构.pdfVIP

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2023-04-26 发布于北京
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位线结构制造方法、半导体结构制造方法及半导体结构.pdf

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本发明提出一种位线结构制造方法、半导体结构制造方法及半导体结构，位线结构制造方法包含以下步骤：在半导体衬底的表面形成位线导电层，位线导电层部分位于半导体衬底表面的凹槽内；在位线导电层和半导体衬底的表面形成第一保护层；在第一保护层的表面形成第一阻挡层；对第一阻挡层的表面进行钝化处理；在第一阻挡层的表面形成牺牲层，牺牲层具有填充于凹槽内的填充部；利用蚀刻液清洗去除牺牲层的除填充部以外的部分。本发明通过对第一阻挡层进行钝化处理，使得蚀刻液对牺牲层与对第一阻挡层蚀刻选择比增大，从而在利用蚀刻液清洗去除牺

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078775 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202010811435.X (22)申请日 2020.08.13 (71)申请人长鑫存储技术有限公司