具有多晶有源区填充形状的结构以及相关方法.pdfVIP

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2023-04-26 发布于四川
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具有多晶有源区填充形状的结构以及相关方法.pdf

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本公开涉及一种具有多晶有源区填充形状的结构以及相关方法。一种结构包括绝缘体上半导体(SOI)衬底，该SOI衬底包括半导体衬底、位于半导体衬底之上的掩埋绝缘体层和位于掩埋绝缘体层之上的SOI层。至少一个多晶有源区填充形状位于SOI层中。多晶隔离区可以位于掩埋绝缘体层下方的半导体衬底中。在提供至少一个多晶有源区填充形状的情况下，该至少一个多晶有源区填充形状在多晶隔离区之上横向对准。在提供多晶隔离区的情况下，多晶隔离区可以延伸到半导体衬底中的不同深度。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114078742 A (43)申请公布日 2022.02.22 (21)申请号 202110911819.3 (22)申请日 2021.08.10 (30)优先权数据 16/992440