半导体结构及其制造方法.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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半导体结构及其制造方法.pdf

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本发明提供一种半导体结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构包括至少两个电极层，各所述电极层相互平行且异层设置；相邻的电极层之间具有重叠区域，相邻的电极层之间设置有介电层，位于所述重叠区域的所述介电层内设置有气隙。本发明通过在介电层内与重叠区域对应的部分设置气隙，由于气隙的介电常数小于介电层的介电常数，相应地，会降低具有重叠区域的两个电极层之间的寄生电容的电容值，进而减小半导体结构的信号延迟，提高半导体结构的性能。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114171495 A (43)申请公布日 2022.03.11 (21)申请号 202010955528.X (22)申请日 2020.09.11 (71)申请人长鑫存储技术有限公司