一种硬掩模刻蚀图形的方法及制冷红外探测器的制备方法.pdfVIP

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2023-04-27 发布于北京
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一种硬掩模刻蚀图形的方法及制冷红外探测器的制备方法.pdf

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本发明提供的一种硬掩模刻蚀图形的方法及制冷红外探测器的制备方法，硬掩模刻蚀图形的方法一次光刻工艺，两次或者三次刻蚀工艺完成了硬掩模刻蚀图形，同时形成了双台阶的刻蚀图形，减少了下切现象的产生，缓解了刻蚀侧壁的内应力，提高了台阶区域的导电能力，并减少后续在台阶上填充物质时产生的填充缺陷，提高了器件在后续工艺中的良率，以及器件的性能。并通过以图形化的所述光刻胶层为掩模，刻蚀所述第二开口处的硬掩模层，可以形成台阶状的硬掩模层，降低了硬掩模层断裂的现象。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114171381 A (43)申请公布日 2022.03.11 (21)申请号 202010954547.0 (22)申请日 2020.09.11 (71)申请人上海丽恒光微电子科技有限公司