第十一章-半导体光电子器件讲解.pptVIP

* * 5 正向偏压使耗尽区变窄，便于n型（或者p型）半导体的多少载流子向对方扩散，导致p型（或者n型）内的少数载流子浓度大大增加。 * * * 4 * * 两边采用相同的半导体材料的pn结称为同质pn结。同质pn结两边具有相同的带隙结构和相同的光学性能。pn结区的完全由载流子的扩散形成。 1. 由电子空穴扩散产生的结区太厚，很难把载流子约束在相对 小的区域，从而结区无法形成较高的载流子密度 2. 无法对产生的光进行约束 双异质结构中间有一层窄带隙N型半导体，称为有源层；两侧分别为宽带隙的P型和N型半导体，称为限制层。由于限制层的带隙比有源层宽，施加正向偏压后，P层的空穴和N层的电子注入有源层。P层带隙宽，导带的能态比有源层高，对注入电子形成了势垒，注入到有源层的电子不可能扩散到P层。同理，注入到有源层的空穴也不可能扩散到N层。 * * * * * * * * 基本的光学谐振腔由两个反射率分别为100%和90%-95%的平行反射镜构成(如图4.1.0.3所示) 。由于谐振腔内的激活物质具有粒子数反转分布，可以用它产生的自发辐射光作为入射光。入射光经反射镜反射，沿轴线方向传播的光被放大，沿非轴线方向的光被减弱。反射光经多次反馈，不断得到放大，方向性得到不断改善，增益大幅度得到提高。 * * 面发光二极管中，有源发光面与光纤轴垂直。这种结构中，在器件的衬底腐蚀了一个小孔，