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半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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  • 2023-04-27 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

    一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括：衬底，所述衬底包括器件单元区，所述器件单元区包括用于形成第一器件的第一子单元区、以及用于形成第二器件的第二子单元区，所述第一器件的驱动电流大于所述第二器件的驱动电流；鳍部，凸出于所述衬底；第一栅极，横跨所述第一子单元区中的所述鳍部；第二栅极，横跨所述第二子单元区中的所述鳍部。本发明在器件单元区中设置第二子单元区，第二器件产生的热量比第一器件产生的热量少，因此，与器件单元区仅包括第一器件区的方案相比，能够降低器件单元区整体的热量，进而改善器件单元区中的自

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114156263 A (43)申请公布日 2022.03.08 (21)申请号 202010928112.9 H01L 21/8234 (2006.01) (22)申请日

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