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- 2023-04-27 发布于四川
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本发明提供了一种可重构肖特基二极管，包括栅电极层、栅介质层、沟道层、源电极和漏电极，所述栅介质层设置于所述栅电极层的一面，所述沟道层设置于所述栅介质层背向所述栅电极层的一面，且为双极性半导体，栅极电压能够控制沟道层在P型和N型之间连续变化，所述源电极设置于所述沟道层背向所述栅介质层的一面，且与所述沟道层之间为肖特基接触，所述漏电极设置于所述沟道层背向所述栅介质层的一面，且与所述沟道层之间为欧姆接触，进而使得栅极电压能够控制沟道层表现出金属P型半导体肖特基二极管的整流特性和金属N型半导体肖特基二极
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114141884 A
(43)申请公布日 2022.03.04
(21)申请号 202111525672.0 H01L 29/24 (2006.01)
(22)申请日 2
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