用于GaN功率集成电路的热增强电子封装.pdfVIP

下载本文档

0
0
约4.05万字
约 41页
2023-04-27 发布于四川
举报
版权申诉

用于GaN功率集成电路的热增强电子封装.pdf

1、本文档共41页，其中可免费阅读40页，需付费10金币后方可阅读剩余内容。
2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本公开涉及用于GaN功率集成电路的热增强电子封装。一种电子功率转换组件包含导电封装基底，所述导电封装基底包括源极端子、漏极端子、至少一个I/O端子及裸片附接衬垫，其中所述源极端子与所述裸片附接衬垫电隔离。GaN基半导体裸片紧固到所述裸片附接衬垫，且包含具有源极及漏极的功率晶体管，其中所述源极电耦合到所述源极端子，且所述漏极电耦合到所述漏极端子。多个焊线将所述源极电耦合到所述源极端子，且将所述漏极电耦合到所述漏极端子。囊封物形成于所述GaN基半导体裸片、所述多个焊线及所述封装基底的至少顶表面上。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114171512 A (43)申请公布日 2022.03.11 (21)申请号 202110286323.1 H01L 23/495 (2006.01) (22)申请日