一种宽禁带氧化物肖特基结β核电池单元的制备方法.pdfVIP

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2023-04-28 发布于四川
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一种宽禁带氧化物肖特基结β核电池单元的制备方法.pdf

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本发明属于半导体器件技术与核科学技术领域，具体涉及一种宽禁带氧化物肖特基结β核电池单元的制备方法，通过两步水热法在基底上生长n型β‑Ga2O3织构膜，然后高温退火后与石墨烯或碳纳米管或金属Ti/Au膜顶电极组装得到Ga2O3基肖特基二极管单元；最后在Ga2O3基肖特基二极管单元上贴附超薄63Ni辐射源薄膜得到宽禁带氧化物肖特基结β辐射伏特核电池，制备的β辐射伏特核电池为深空、深海、极地等极端恶劣环境提供能够不依赖外界输入能量持续供电的可靠电源；通过掺杂金属元素实现宽禁带半导体能带结构控制，通过使

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114203325 A (43)申请公布日 2022.03.18 (21)申请号 202111194615.9 (22)申请日 2021.10.13 (71)申请人西安电子科技大学芜湖研究院