3D NAND存储器的形成方法.pdfVIP

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2023-04-28 发布于四川
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3D NAND存储器的形成方法.pdf

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一种3DNAND存储器的形成方法，在沟道通孔中形成存储结构和位于所述存储结构上的多晶硅层，所述多晶硅层的表面低于所述介质层的顶部表面后，在所述多晶硅层表面形成第一金属硅化物层和位于第一金属硅化物层上的通孔接触金属层；将所述牺牲层替换为控制栅结构；在所述介质层中形成暴露出堆叠结构一侧的阱区部分表面的第一通孔以及暴露出相应的台阶结构表面的若干第二通孔；在所述第一通孔底部的阱区表面形成第二金属硅化物层；在所述第一通孔中形成第一接触插塞，在所述第二通孔中形成第二接触插塞。本发明可以单独调节形成的第一金

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114188347 A (43)申请公布日 2022.03.15 (21)申请号 202111371053.0 (22)申请日 2020.10.19 (62)分案原申请数