二极管与晶闸管.pptxVIP

第1页/共44页二极管与晶闸管第2页/共44页4.1 PN结及其单向导电性4.1.1 半导体基础知识导 体:自然界中很容易导电的物质.例如金属。绝缘体：电阻率很高的物质，几乎不导电;如橡皮、陶瓷、塑料和石英等。半导体：导电特性处于导体和绝缘体之间的物质， 例如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等半导体的特点当受外界热和光的作用时，它的导电能力明显变化。往纯净的半导体中掺入某些杂质，会使它的导电能力明显改变。第3页/共44页+4+4+4+4GeSi1. 本征半导体纯净的半导体。如：硅和锗本征半导体的导电机理1）最外层四个价电子。2）共价键结构+4表示除去价电子后的原子共价键共用电子对第4页/共44页+4+4+4+4形成共价键后，每个原子的最外层电子是八个，构成稳定结构。共价键有很强的结合力，使原子规则排列，形成晶体。共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。第5页/共44页+4+4+4+4+4+4+4+44）在热或光激发下，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。3）在绝对0度和没有外界激发时,价电子完全被共价键束缚着，本征半导体中没有可以运动的带电粒子（即载流子），它的导电能力为0，相当于绝缘体。自由电子空穴束缚电子第6页/共44页+4+4+4+45）自由电子和空穴的运动形成电流在其它力的作用下，空穴吸引临近的电子来填补，这样的结果相当于空穴的迁移，而空穴的迁移相当于正电荷的移动，因此可以认为空穴是载流子。第7页/共44页可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。第8页/共44页归纳本征半导体的导电机理?本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。?本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。?温度越高?载流子的浓度越高?本征半导体的导电能力越强。第9页/共44页2. 杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量杂质。杂质半导体使某种载流子浓度大大增加。1）N型半导体在硅或锗晶体（四价）中掺入少量的五价元素磷，使自由电子浓度大大增加。第10页/共44页+4+4+5+4N型半导体多余电子磷原子多数载流子（多子）：电子。取决于掺杂浓度；少数载流子（少子）：空穴。取决于温度。第11页/共44页+4+4+3+42）P型半导体在硅或锗晶体（四价）中掺入少量的三价元素硼，使空穴浓度大大增加。多数载流子（多子）：空穴。取决于掺杂浓度；少数载流子（少子）：电子。取决于温度。空穴硼原子第12页/共44页归纳1、杂质半导体中两种载流子浓度不同，分为多数载流子和少数载流子（简称多子、少子）。◆2、杂质半导体中多数载流子的数量取决于掺杂浓度，少数载流子的数量取决于温度。◆◆3、杂质半导体中起导电作用的主要是多子。4、N型半导体中电子是多子，空穴是少子； P型半导体中空穴是多子，电子是少子。◆第13页/共44页N型半导体P型半导体++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－杂质半导体的示意表示法第14页/共44页5.1.2 PN 结的形成在同一片半导体基片上，分别制造P型半导体和N型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN结。 因浓度差 ? 多子的扩散运动?由杂质离子形成空间电荷区 ? 空间电荷区形成内电场?内电场阻止多子扩散 ?内电场促使少子漂移 第15页/共44页漂移运动内电场E++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－扩散运动PN结处载流子的运动N型半导体P型半导体空间电荷区第16页/共44页PN结处载流子的运动漂移运动内电场EN型半导体P型半导体++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－扩散运动内电场越强，就使漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽。第17页/共44页PN结处载流子的运动漂移运动内电场EN型半导体P型半导体++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－扩散运动所以扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。第18页/共44页++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－N型区空间电荷区P型区第19页/共44页 1） PN结加正向电压时的导电情况 外加的正向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是,内电场对多子扩散运动的