NORFlash存储器介绍及编程.docxVIP

NOR-Flash 存储器 概述 ADSP-BF532 自身不具有 ROM，因此必须外接 ROM 器件来存储放电后仍需要保存的代码和数据。 NOR Flash 具有非易失性，并且可轻易擦写。Flash 技术结合了 OTP 存储器的成本优势和EEPROM 的可再编程性能，因此得到了越来越广泛的使用。在本实验中将主要介绍 NOR Flash 器件——Am29LV160D在 Blackfin 处理器系统中的应用。 NOR Flash 采用标准总线接口与处理器交互，对它的读取不需要任何特殊的代码。 作为代码存储器，NOR Flash 映射在处理器的异步存储区的 0x2000,0000 到 0x201F,FFFF 地址上。若设定系统从 Flash 启动，则系统上电复位时，处理器就自动从 Flash 中取得指令运行。因此 NOR Flash 中要存放系统启动代码，这些代码必须在系统上电时完成一系列初始化的工作。经过了这些初始化，系统才得以正确启动并开始工作。 实验内容和目标 本实验要实现的内容和目标 读出 FLASH的 manufacturer ID 和 device ID。 对 FLASH芯片进行整片擦出，并验证擦除是否成功（读出数据是否为为全 0xFFFF）。往 FLASH起始地址写入 0x5555，并读出，验证写入是否正确。 实验分析 1．Am29LV160D介绍 进行实际编程之前，首先应了解 NOR Flash 器件 Am29LV160D的特性和读写操作的要求。Am29LV160D是由 AMD 公司推出的 1M×16bit 的 CMOS 多用途 Flash。它的主要特性如下。存储空间组织 1M×16bit。 读写操作采用单一电源 2.7～3.6V。可靠性 可擦写 100 000 个周期（典型值）； 数据可保存 100 年。低功耗 - 动态电流 15mA（典型值）； 静态电流 4 ? A（典型值）； 自动低功耗模式 4 ? A（典型值）。 扇区擦除能力 统一为 2K×16b 大小的扇区。快速读操作时间 70ns 和 90ns。 具有锁地址和数据功能。 快速擦除和以字为单位编程。扇区擦除时间 18ms（典型值）；快擦除时间 18ms（典型值）； 片擦除时间 70ms（典型值）； 字擦除时间 14 ? s（典型值）； 片重写时间 15s（典型值）. 自动写时序 内部产生 VPP 写结束的检测 翻转位； 数据轮流检测。 与 CMOS 电平的 I/O 口兼容。 符合 JEDEC 标准 采用Flash EEPROM 的标准引脚排布和指令集。芯片引脚分布（TSOP 封装）如图 1 所示。 图 1 Am29LV160D的引脚分布图 引脚描述如表 1 所示。 表 1 Am29LV160D引脚功能描述 引脚符号 引脚名称 功能描述 A0～A19 地址输入 提供存储器地址。在扇区擦除中 A19～A11 地址线用来选择擦除哪一个扇区。在块擦除中 A19～A15 地址 线用来选择擦除哪一个块 DQ0～DQ15 数据输入/输出 在读周期输出数据，在写周期接收写入的数据。在写周期中，数据内部锁存。在 OE#或 CE#为高电平时， 数据线输入为高阻态 BYTE＃ 模式选择 选择 8-bit 或 16-bit 模式 CE# 片选使能 低电平有效的片选线 OE# 输出使能 低电平有效的数据输出使能线 WE# 写使能 控制写操作 RESET# 复位 硬件复位线 RY/BY# 空闲指示 判断系统是否空闲的输出线 VCC 电源 VSS 地 NC 空脚 电路连接原理图 Am29LV160D的电路连接方式如图 2 所示。 图 2 Am29LV160D的电路连接图 编程指导 NOR Flash 映射在处理器的异步存储区的 0x2000,0000 到 0x201F,FFFF 地址上。本实验将要对 NOR Flash 进行的操作包括“读”、“写”和“擦除”。对与“读”操作，可以直接从相应地址读出数据，但对于“写”和“擦除”操作，应遵循 NOR Flash 的操作步骤，通常应根据地址定义的类型， 向特定的地址处写入特定的命令字，如果需要，再读出数据，验证操作是否成功。 图 3 与图 4 分别是 Am29LV160D的“写”与“整片擦除”操作流程图，表 2 是 Am29LV160D的操作命令。基本操作应按照表中所示的步骤进行，在进行各种操作前，应首先确定地址类型为“字 （16 位）”还是“字节（8 位）”，例如：当进行“写”操作时，如果地址定义成“字”类型，则应首先向 NOR Flash 的地址 0x555 处写入 0xAA，其次向地址 0x2AA 处写入 0x55，再向地址 0x555 处写入 0xA0，最后向指定地址写入数据。“擦除”操作与“写”操作类似。表中其它操作的含义，