半导体物理期末试卷2012.docxVIP

学院姓名学号任课老师选课号/座位号………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 第 第 PAGE 1 页 共 5 页 半导体期末考试 课程考试题 B 卷 （ 120 分钟） 考试形式：闭卷 考试日期 2011 年 月 日课程成绩构成：平时 15 分， 期中 5 分， 实验 10 分， 期末 70 分 一 一 二 三 四 五 六 七 八 九 十 合计 复核人 签名 得分 签名 可能用到的物理常数：电子电量 q=1.602×10-19C，真空介电常数 ε =8.854×10-12F/m，室温（ 300K）的 0 得 分k0T=0.026eV，SiO2 相对介电常数=3.9， N C=2.8×1019cm-3，300K 时，ni(GaAs)=1.1×107cm-3. 得 分 一、多选题:在括号中填入正确答案（共 30 分，共 19 题，每空 1 分） 受主是能增加（B）浓度的杂质原子，施主是能增加（A）浓度的杂质原子， A、电子 B、空穴 如果杂质在化合物半导体中既能作施主又能作受主的作用，则这种杂质称为 （ B ）。 A、 受主 B、 两性杂质 C、施主 对于掺杂浓度为 ND 的非简并半导体，0 K 下，其电子浓度=（ D