双极型三极管及放大电路.pptxVIP

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双极型三极管及放大电路第1页/共96页 23.1 双极型三极管(BJT)  又称半导体三极管、晶体管,或简称为三极管。(Bipolar Junction Transistor)三极管的外形如下图所示。  三极管有两种类型:NPN 和 PNP 型。主要以 NPN 型为例进行讨论。三极管的外形第2页/共96页 3第3页/共96页 4BECNNP基极发射极集电极NPN型PNP集电极基极发射极BCEPNP型结构与分类 两个PN结、三个引脚,两种类型:NPN和PNP型。一、 BJT的结构、符号及放大条件集电结发射结第4页/共96页 5BECNPN型三极管BECPNP型三极管BJT符号NPNCBEPNPCBE  由于PN结之间的相互影响,使BJT表现出不同于单个PN结的特性而具有电流放大作用。第5页/共96页 6BECNNP基极发射极集电极基区:较薄,掺杂浓度最低集电区:面积较大发射区:掺杂浓度最高结构特点第6页/共96页 7BJT放大的内部条件 发射区的掺杂浓度最高; 集电区掺杂浓度低于发射区,且面积大; 基区很薄,一般在几个微米至几十个微米, 且掺杂浓度最低。管芯结构剖面示意图第7页/共96页 8BECNNPEBRBEc发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散,形成发射极电流IE。IE进入P区的电子少部分与基区的空穴复合,形成电流IB ,多数扩散到集电结。IBBJT放大的外部条件:发射结正偏,集电结反偏第8页/共96页 9BECNNPEBRBEcIE从基区扩散来的电子漂移进入集电结而被收集,形成IC。ICICIB三极管能放大电流的必要条件: 发射结正偏,集电结反偏。根据KCLIE=IB+ IC第9页/共96页 10令 α= IC / IE  为共基极电流放大倍(系)数  α 1 (0.9~0.99)根据KCL IE=IB+ IC令 ? = IC / IB 为共射极电流放大倍(系)数     ? 1 (10~100) 一般放大电路采用30~80为宜,太小放大作用差,太大性能不稳定。第10页/共96页 11因为  IC = α IE IB = IE-IC = IE-α IE = IE(1- α ) 所以  ? = IC / IB = α IE /IE(1-α) = α /(1-α) 即为α与?的关系对NPN管,放大时 VC VB VE对PNP管,放大时 VC VB VE第11页/共96页 12c+eVBBVCC-vBEiB+-vCEiCb共射极放大电路vCE = 0V iB=f(vBE)? vCE=const(2) 当vCE≥1V时, vCB= vCE - vBE0,集电结已进入反偏状态,同样的vBE下 IB减小,特性曲线右移。vCE = 0VvCE ? 1V(1) 当vCE=0V时,相当于发射结的正向伏安特性曲线。1. 输入特性曲线二、 BJT的特性曲线(以共射极放大电路为例)此时,曲线基本相同,为一般常用曲线。第12页/共96页 13(3) 输入特性曲线的三个部分①死区 ②非线性区③线性区 1. 输入特性曲线第13页/共96页 14iC=f(vCE)? iB=const2.输出特性曲线饱和区:Je正偏,Jc正偏。 该区域内,一般vCE 1V (硅)。放大区: Je正偏,Jc反偏。 曲线基本平行等距。 截止区: Je反偏,Jc反偏。ic轴接近零的区域,相当iB=0的曲线的下方。此时, vBE小于死区电压。输出特性曲线的三个区域第14页/共96页 15 (1)共发射极直流电流放大系数 =(IC-ICEO)/IB≈IC / IB ? vCE=const1. 电流放大系数 三、BJT的主要参数(2) 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=const第15页/共96页 16 (3) 共基极直流电流放大系数 =(IC-ICBO)/IE≈IC/IE (4) 共基极交流电流放大系数α α=?IC/?IE? VCB=const 当ICBO和ICEO很小时, ≈?、 ≈?,可以不加区分。三、BJT的主要参数1. 电流放大系数 第16页/共96页 17 (2) 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=(1+ )ICBO 2. 极间反向电流ICEO (1) 集电极基极间反向饱和电流ICBO 发射极开路时,集电结的反向饱和电流。 三、BJT的主要参数 即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应的Y坐标的数值。 I

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