半导体结构的形成方法.pdfVIP

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2023-05-05 发布于北京
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半导体结构的形成方法.pdf

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一种半导体结构的形成方法，包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成初始牺牲层；在初始牺牲层内形成改性层，所述改性层的厚度小于所述初始牺牲层的厚度，所述改性层与初始牺牲层的刻蚀速率不同；采用第一刻蚀去除部分所述初始牺牲层，在改性层之间形成凹槽，所述凹槽的深度小于初始牺牲层的厚度；以所述改性层为掩膜，采用第二刻蚀去除所述凹槽底部暴露出的初始牺牲层，形成牺牲层和位于牺牲层上的改性层。所述方法形成的半导体结构的性能得到提升。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114284141 A (43)申请公布日 2022.04.05 (21)申请号 202011032918.6 (22)申请日 2020.09.27 (71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限